型号:BSP295E6327 | 类别:FET - 单 | 制造商:Infineon Technologies |
封装:TO-261-4,TO-261AA | 描述:MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223 |
详细参数
类别 | FET - 单 |
---|---|
描述 | MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223 |
系列 | SIPMOS® |
制造商 | Infineon Technologies |
FET型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 1.8A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 300 毫欧 @ 1.8A,10V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 1.8V @ 400µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 17nC @ 10V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 368pF @ 25V |
功率_最大 | 1.8W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
供应商设备封装 | PG-SOT223-4 |
包装 | 带卷 (TR) |
供应商
深圳市芯脉实业有限公司 | 骆0755-84507209 |
深圳市科恒伟业电子有限公司 | 柯0755-88917652分机801-83200050 |
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